Evaluación y selección de la primera cascada del preamplificador de retroalimentación óptica para detector de silicio-litio fabricado en el CEADEN
Autor
Díaz-García, Angelina
Cabal-Rodríguez, Ana Ester
Suárez-Caner, Eugenio
Metadatos
Mostrar el registro completo del ítemDescripción
Se describen las principales características de los transistores de efecto de campo (FET) y diodos emisores de luz (LED) que permiten obtener una buena resolución energética en los detectores de SILI para fluorescencia de rayos X. Se exponen los valores de transconductancia (dl/dV) y corriente compuerta (lgss) para 16 FET investigados, así como los circuitos que se utilizaron para la medición.
Fuente
Tecnología en marcha Journal; Vol. 13 Núm. especial. Usos pacíficos de la tecnología nuclear (1997); Pág. 121-126 , Revista Tecnología en Marcha; Vol. 13 Núm. especial. Usos pacíficos de la tecnología nuclear (1997); Pág. 121-126 , 2215-3241 , 0379-3982 .Compartir
Métricas
Colecciones
- Tecnología en Marcha [2043]