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dc.creatorDíaz-García, Angelina
dc.creatorCabal-Rodríguez, Ana Ester
dc.creatorMartínez-Muñoz, O.
dc.date2016-11-17
dc.date.accessioned2020-09-25T23:11:24Z
dc.date.available2020-09-25T23:11:24Z
dc.identifierhttps://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2846
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/2238/11610
dc.descriptionSe describe la tecnología de fabricación de detectores de neutrones térmicos con base en detectores de Silicio de barrera superficial con convertidor de 6LiF, así como se realiza el análisis de sus parámetros fundamentales. La medición de la resolución energética e intensidad de conteo se realiza con una fuente de neutrones de Am-Be con salida de 6,6.106 neutrones/seg, de una energía máxima de 10 MeV y energía promedio de 4,9MeV. Los neutrones térmicos se obtuvieron por medio de la moderación en una capa de parafina de 4 cm de grosor.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherEditorial Tecnológica de Costa Rica (entidad editora)es-ES
dc.relationhttps://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2846/2608
dc.sourceTecnología en marcha Journal; Vol. 13 Núm. especial. Usos pacíficos de la tecnología nuclear (1997); Pág. 75-78en-US
dc.sourceRevista Tecnología en Marcha; Vol. 13 Núm. especial. Usos pacíficos de la tecnología nuclear (1997); Pág. 75-78es-ES
dc.source2215-3241
dc.source0379-3982
dc.titleDetector semiconductor para neutrones térmicoses-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion


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