Detector semiconductor para neutrones térmicos

dc.contributor		es-ES
dc.creator	Díaz-García, Angelina
dc.creator	Cabal-Rodríguez, Ana Ester
dc.creator	Martínez-Muñoz, O.
dc.date	2016-11-17
dc.identifier	https://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2846
dc.description	Se describe la tecnología de fabricación de detectores de neutrones térmicos con base en detectores de Silicio de barrera superficial con convertidor de 6LiF, así como se realiza el análisis de sus parámetros fundamentales. La medición de la resolución energética e intensidad de conteo se realiza con una fuente de neutrones de Am-Be con salida de 6,6.106 neutrones/seg, de una energía máxima de 10 MeV y energía promedio de 4,9MeV. Los neutrones térmicos se obtuvieron por medio de la moderación en una capa de parafina de 4 cm de grosor.	es-ES
dc.format	application/pdf
dc.language	spa
dc.publisher	Editorial Tecnológica de Costa Rica	es-ES
dc.relation	https://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2846/2608
dc.rights	Copyright (c) 2016 Revista Tecnología en Marcha	es-ES
dc.source	Revista Tecnología en Marcha; Vol 13 edición especial 1 (1997); Pág. 75-78	es-ES
dc.source	2215-3241
dc.source	0379-3982
dc.subject		es-ES
dc.subject		es-ES
dc.title	Detector semiconductor para neutrones térmicos	es-ES
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	Artículo revisado por pares	es-ES
dc.type		es-ES

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