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dc.contributores-ES
dc.creatorDíaz-García, Angelina
dc.creatorCabal-Rodríguez, Ana Ester
dc.creatorSuárez-Caner, Eugenio
dc.date2016-11-17
dc.identifierhttp://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2855
dc.descriptionSe describen las principales características de los transistores de efecto de campo (FET) y diodos emisores de luz (LED) que permiten obtener una buena resolución energética en los detectores de SILI para fluorescencia de rayos X. Se exponen los valores de transconductancia (dl/dV) y corriente compuerta (lgss) para 16 FET investigados, así como los circuitos que se utilizaron para la medición.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherEditorial Tecnológica de Costa Ricaes-ES
dc.relationhttp://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2855/2617
dc.rightsCopyright (c) 2016 Revista Tecnología en Marchaes-ES
dc.sourceRevista Tecnología en Marcha; Vol 13 edición especial 1 (1997); Pág. 121-126es-ES
dc.source2215-3241
dc.source0379-3982
dc.subjectes-ES
dc.subjectes-ES
dc.titleEvaluación y selección de la primera cascada del preamplificador de retroalimentación óptica para detector de silicio-litio fabricado en el CEADENes-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.typeArtículo revisado por pareses-ES
dc.typees-ES


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