Mostrar el registro sencillo del ítem

dc.creatorDíaz-García, Angelina
dc.creatorCabal-Rodríguez, Ana Ester
dc.creatorSuárez-Caner, Eugenio
dc.date2016-11-17
dc.date.accessioned2020-09-25T23:11:26Z
dc.date.available2020-09-25T23:11:26Z
dc.identifierhttps://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2855
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/2238/11619
dc.descriptionSe describen las principales características de los transistores de efecto de campo (FET) y diodos emisores de luz (LED) que permiten obtener una buena resolución energética en los detectores de SILI para fluorescencia de rayos X. Se exponen los valores de transconductancia (dl/dV) y corriente compuerta (lgss) para 16 FET investigados, así como los circuitos que se utilizaron para la medición.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherEditorial Tecnológica de Costa Rica (entidad editora)es-ES
dc.relationhttps://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2855/2617
dc.sourceTecnología en marcha Journal; Vol. 13 Núm. especial. Usos pacíficos de la tecnología nuclear (1997); Pág. 121-126en-US
dc.sourceRevista Tecnología en Marcha; Vol. 13 Núm. especial. Usos pacíficos de la tecnología nuclear (1997); Pág. 121-126es-ES
dc.source2215-3241
dc.source0379-3982
dc.titleEvaluación y selección de la primera cascada del preamplificador de retroalimentación óptica para detector de silicio-litio fabricado en el CEADENes-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion


Ficheros en el ítem

FicherosTamañoFormatoVer

No hay ficheros asociados a este ítem.

Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Mostrar el registro sencillo del ítem