Mostrar el registro sencillo del ítem

dc.contributor.advisorChacón-Rodríguez, Alfonsoes
dc.contributor.authorHerrero-Chavarría, Felipe
dc.date.accessioned2022-08-23T22:49:51Z
dc.date.available2022-08-23T22:49:51Z
dc.date.issued2021-10-29
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/2238/13859
dc.descriptionProyecto de Graduación (Maestría en Electrónica), Instituto Tecnológico de Costa Rica, Escuela de Ingeniería Electrónica, 2021.es
dc.descriptionEsta tesis cumple con el Objetivo 9 Construir infraestructuras resilientes, promover la industrialización inclusiva y sostenible y fomentar la innovación. Meta c Aumentar significativamente el acceso a la tecnología de la información y las comunicaciones y hacer esfuerzo por proporcionar acceso universal y asequible a Internet en los países menos adelantados (meta por cumplir en el año 2020).
dc.description.abstractLa constante reducción de escala de las tecnologías ha llevado a que los sistemas electrónicos sean cada vez más rápidos. Como parte integral de la mayoría de los microprocesadores, las memorias también han seguido esta tendencia. La reducción del área consumida manteniendo alta densidad y baja potencia es el objetivo de cualquier diseñador de memoria. Las memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM) son esenciales en el diseño digital por su capacidad para retener datos durante largos periodos mientras la fuente de voltaje está encendida, proporcionando también velocidades más altas en comparación con otros tipos de memoria. Este documentado presenta el desarrollo de una SRAM IP semi personalizada, con la correspondiente integración a un flujo automático de síntesis digital. También se incluye el proceso para diseñar y caracterizar una biblioteca personalizada, por medio de un flujo de caja negra para su uso en síntesis física con otras bibliotecas.es
dc.description.abstractThe constant downscaling of technologies has led to electronic systems to be each time faster. As an integral part of most microprocessors, memories have also been following this trend. The reduction of the consumed area while maintaining high density and low power is the goal of any memory designer. Static Random Access Memories (SRAM) are mandatory in digital design for their capacity to retain data for long periods while the voltage source is on, providing also with higher speeds compared to other memory types. This document presents the development of a semi-custom SRAM IP, with the corresponding integration to a digital automatic flow using Synopsys tools. The process to design and characterize a custom library is also included, with a custom black box flow for its use in physical synthesis with other libraries.es
dc.language.isoenges
dc.publisherInstituto Tecnológico de Costa Ricaes
dc.rightsacceso abiertoes
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/*
dc.subjectSRAMes
dc.subjectSynopsyses
dc.subjectDiseño personalizadoes
dc.subjectTrazadoes
dc.subjectSistemas electrónicoses
dc.subjectMicroprocesadoreses
dc.subjectDiseño Digitales
dc.subjectBibliotecas personalizadases
dc.subjectTecnologíaes
dc.subjectCustom designes
dc.subjectElectronic systemses
dc.subjectMicroprocessorses
dc.subjectDigital designes
dc.subjectCustom librarieses
dc.subjectTechnologyes
dc.titleDesign of a custom SRAM compiler in 180 nm using the Synopsys tool suitees
dc.typetesis de maestríaes


Ficheros en el ítem

Thumbnail
Thumbnail

Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Mostrar el registro sencillo del ítem

acceso abierto
Excepto si se señala otra cosa, la licencia del ítem se describe como acceso abierto